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Datasheet: FZ800R12KF4 (Eupec GmbH)

 

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Eupec GmbH
European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Marketing Information
FZ 800 R 12 KF 4
external connection to be
done
external connection to be
done
M8
M4
61,5
18
130
31,5
28
7
16,5
18,5
C
E
C
E
E
G
C
2,5
114
screwing depth
max. 8
A15/97 Mod-E/ 21.Jan 1998 G.Schulze
C
E
G
E
C
E
C
FZ 800 R 12 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
CES
1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
I
C
800 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collctor current
t
p
=1 ms
I
CRM
1600 A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
t
C
=25°C, Transistor /transistor
P
tot
5400 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GE
± 20 V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
800 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
p
=1ms
I
FRM
1600 A
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
V
ISOL
2,5 kV
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
i
C
=800A, v
GE
=15V, t
vj
=25°C
v
CE sat
-
2,7
3,2 V
i
C
=800A, v
GE
=15V, t
vj
=125°C
-
3,3
3,9 V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
i
C
=32mA, v
CE
=v
GE
, t
vj
=25°C
v
GE(th)
4,5
5,5
6,5 V
Eingangskapazität
input capacity
f
O
=1MHz,t
vj
=25°C,v
CE
=25V, v
GE
=0V
C
ies
-
55
- nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
v
CE
=1200V, v
GE
=0V, t
vj
=25°C
i
CES
-
11
- mA
v
CE
=1200V, v
GE
=0V, t
vj
=125°C
-
65
- mA
Gate-Emitter Reststrom
gate leakage current
v
CE
=0V, v
GE
=20V, t
vj
=25°C
i
GES
-
-
400 nA
Emitter-Gate Reststrom
gate leakage current
v
CE
=0V, v
EG
=20V, t
vj
=25°C
i
EGS
-
-
400 nA
Einschaltzeit (induktive Last)
turn-on time (inductive load)
i
C
=800A,v
CE
=600V
t
on
v
L
= ± 15V, R
G
=1,8 , t
vj
=25°C
-
0,7
- µs
v
L
= ± 15V, R
G
=1,8 , t
vj
=125°C
-
0,8
- µs
Speicherzeit (induktive Last)
storage time (inductive load)
i
C
=800A,v
CE
=600V
t
s
v
L
= ± 15V, R
G
=1,8 , t
vj
=25°C
-
0,9
- µs
v
L
= ± 15V, R
G
=1,8 , t
vj
=125°C
-
1,0
- µs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
i
C
=800A,v
CE
=600V
t
f
v
L
= ± 15V, R
G
=1,8 , t
vj
=25°C
-
0,10
- µs
v
L
= ± 15V, R
G
=1,8 , t
vj
=125°C
-
0,15
- µs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energie loss per pulse
i
C
=800A,v
CE
=600V,Ls=70nH
E
on
v
L
= ± 15V, R
G
=1,8 , t
vj
=125°C
-
130
- mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energie loss per pulse
i
C
=800A,v
CE
=600V,Ls=70nH
E
off
v
L
= ± 15V, R
G
=1,8 , t
vj
=125°C
-
120
- mWs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung
forward voltage
i
F
=800A, v
GE
=0V, t
vj
=25°C
v
F
-
2,2
2,7 V
i
F
=800A, v
GE
=0V, t
vj
=125°C
-
2,0
2,5 V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
i
F
=800A,-di/dt = 4kA/µs
I
RM
v
RM
=600V, v
GE
=10V, t
vj
=25°C
-
280
- A
v
RM
=600V, v
GE
=10V, t
vj
=125°C
-
480
- A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
i
F
=800A,-di/dt = 4kA/µs
Q
r
v
RM
=600V, v
GE
=10V, t
vj
=25°C
-
35
- µAs
v
RM
=600V, v
GE
=10V, t
vj
=125°C
-
100
- µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
R
thJC
0,023 °C/W
Diode /diode, DC
0,044 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
R
thCK
0,01 °C/W
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
pro Modul / per Module
t
vj max
150 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
Transistor / transistor
t
c op
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite/page 1
Innere Isolation
internal insulation
AI
2
O
3
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
terminals M6 /
tolerance +/-15%
M1
5 Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
terminals M4 /
tolerance +/-15%
M2
2 Nm
terminals M8
8...10 Nm
Gewicht
weight
G
ca. 1500 g
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
t
fg
= 10 µs
V
CC
= 750 V
v
L
= ±15 V
v
CEM
= 900 V
R
GF
= R
GR
= 1,8
i
CMK1
7000 A
t
vj
= 125°C
i
CMK2
6000 A
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions
CEM
= V
CES
- 15nH x |di
c
/dt|
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
v
FZ 800 R12 KF4
FZ800R12KF4
i
C
[A]
Bild/Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch)
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
V
GE
= 15V
----- T
vj
= 25 °C
___ T
vj = 125 °C
v
CE
[V]
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0
200
1000
1200
1400
1600
400
600
800
FZ800R12KF4
i
C
[A]
Bild/Fig. 3
Übertragungscharakteristik (typisch)
Transfer characteristic (typical)
V
CE
= 20 V
v
GE
[V]
5
6
7
8
9
10
11
12
0
200
1000
1200
1400
1600
t
vj
=
125 °C
25 °C
400
600
800
FZ800R12KF4
i
C
[A]
Bild/Fig. 4
Rückwärts-Arbeitsbereich
Reverse biased safe operating area
t
vj
= 125 °C, v
LF
= v
LR
= 15 V, R
G
= 1,8
v
CE
[V]
0
0
800
1200
1600
2000
200
1200
1000
1400
400
400
600
800
FZ800R12KF4
i
C
[A]
Bild/Fig. 2
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch)
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
T
vj
= 125 °C
v
CE
[V]
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0
200
1000
1200
1400
1600
400
600
800
V
GE
=20V
15V
12V
10V
9V
8V
FZ 800 R12 KF4
FZ800R12KF4
Z
(th)JC
[°C/W]
Bild/Fig. 5
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig (DC)
Transient thermal impedance per arm (DC)
10
-3
2
4
10
-2
10
-1
10
0
10
-3
10
-2
2
3
5
2
4
2
4
2
t [s]
10
1
4
IGBT
Diode
FZ800R12KF4
i
F
[A]
Bild/Fig. 6
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward characteristic of the inverse diode (typical)
t
vj
= 25 °C
t
vj
= 125 °C
v
F
[V]
0
200
1000
1200
1400
1600
1.0
1.5
2.0
2.5
0.5
3.0
400
600
800
10
-1
2
3
6
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